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锗,半导体加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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分类：专业技术
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1、形成高锗浓度的硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构

[简介]：本套资料主要内容为一种形成硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构，该方法包括：沉积一第一硅锗层于一半导体基板上的一源极区与一漏极区的至少其中之一中，半导体基板具有位于源极区与漏极区之间的一沟道；以及使第一硅锗层的一...

2、形成高锗浓度的硅锗应力源的方法及集成电路晶体管结构

[简介]：本套资料实施例提供了一种锗硅薄膜的形成装置，包括：反应腔室，用于为反应物在晶圆表面形成含锗硅的外延层提供平台；等离子腔室，用于在含锗的反应物到达晶圆表面之前，将所述含锗的反应物等离子体化，形成等离子锗；所述反应腔...

3、锗硅薄膜的形成方法及形成装置

[简介]：本套资料提供一种形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构的方法，包括由该方法所形成的1T-DRAM结构，1T-DRAM结构包括：一半导体基板、一埋氧层，所述埋氧层覆盖在半导体基板上；一P型硅层，所述P型硅层覆盖在埋氧层上，所述P型...

4、形成绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构的方法及形成结构

[简介]：本套资料提供一种用于在晶体管中形成含硅锗的漏极源极区域以减少硅锗损失的方法。通过在高锗浓度之硅锗材料上设置保护层，可明显降低或甚至完全避免应变半导体材料之对应损失。该保护层可在关键清洗制程前形成且可维持...

5、用于在晶体管中形成含硅锗的漏极源极区域以减少硅锗损失的方法

[简介]：一种形成绝缘体上IIIV族上锗结构的方法。本套资料涉及形成绝缘体上半导体结构10的方法，所述绝缘体上半导体结构10包括IIIV族材料的半导体层3，其特征在于，该方法包括以下步骤：a在施主基板1上生长松弛锗层2；...

6、形成绝缘体上ⅢⅤ族上锗结构的方法

[简介]：本套资料提供一种绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构，包括：一半导体基板、一埋氧层，所述埋氧层覆盖在半导体基板上；一P型硅层，所述P型硅层覆盖在埋氧层上，所述P型硅层上设有由STI分隔开的NMOS器件，其中所述NMOS器件中的沟...

7、绝缘体上碳硅-锗硅异质结1T-DRAM结构及形成方法

[简介]：一种形成锗硅沟道以及PMOS晶体管的方法，形成PMOS晶体管的方法包括：提供基底，所述基底为硅基底或绝缘体上硅基底，所述基底上形成有浅沟槽隔离结构，相邻的浅沟槽隔离结构之间为有源区域，所述有源区域包括源极区域、漏极区...

8、形成锗硅沟道以及PMOS晶体管的方法

[简介]：本套资料提供一种硅锗外延层的形成方法，包括：提供形成有栅极的硅衬底；在位于所述栅极两侧衬底内形成开口；对所述开口进行第一退火工艺；在所述开口内形成硅锗外延层；至少分两步形成所述硅锗外延层，且至少有一步形成硅锗外...

9、硅锗外延层的形成方法

[简介]：本套资料主要内容为一种锗硅HBT的埋层形成方法，将光刻胶的曝光分为两次。第一次曝光聚焦于光刻胶接近表面的部分，形成主要图形。第二次曝光聚焦于光刻胶接近衬底的部分，对主要图形的底部进行附加曝光。从而使光刻胶底部形成的实...

10、锗硅HBT的埋层形成方法

[简介]：本套资料描述了半导体PIN二极管及其形成方法。在一方面，在被掺杂成具有一种传导率p+或n+的区和到PIN二极管的电触头之间形成SiGe区。该SiGe区可用于减小接触电阻，其可增加正向偏置电流。掺杂区在SiGe区下方延伸，使其处于S...

11、具有硅锗低接触电阻的PIN二极管及其形成方法

[简介]：本套资料提供一种使用锗铝形成的IGBT的集电极，以及该集电极的制造方法，该集电极形成在IGBT背面的衬底层上，包含依次形成的锗、铝薄膜层；通过对IGBT的硅片背面进行减薄、腐蚀后，分别蒸发锗铝依次形成锗、铝薄膜层，然后进行退...

12、使用锗铝形成的绝缘栅双极晶体管的集电极及其制造方法

[简介]：一种形成互连结构的方法，包括提供衬底；在该衬底上形成低k电介质层；在该低k电介质层中形成开口；在形成开口的步骤之后，实施硅锗浸泡工艺以暴露该低k电介质层的表面；以及在硅锗浸泡工艺之后，填充该开口。

13、通过硅锗浸泡改进金属线的形成

[简介]：本套资料涉及利用锗预非晶处理来形成P-型轻度掺杂的漏极区的方法。一种形成具有超浅轻度掺杂的扩散区的MOS器件的方法。该方法包括提供具有表面区域的半导体衬底，提供覆盖表面区域的栅极介电层并形成覆盖栅极介电层一部分的...

14、利用锗预非晶处理来形成P-型轻度掺杂的漏极区的方法

[简介]：示例实施例涉及一种形成锗硅化物层的方法、半导体装置、制造该装置的方法。根据示例实施例的形成Ge硅化物层的方法可以包括：在硅锗SiGe层上形成包含钒的金属层。金属层可以具有多层结构，并还可以包含铂Pt和镍Ni中的至...

15、形成锗硅化物层的方法、半导体装置、制造该装置的方法

[简介]：提供一种利用Ge化合物形成相变层的方法和利用其制造相变存储器件的方法。制造相变层存储器件的方法包括在待于其上形成相变层的底层上提供第一前体，其中第一前体是包含锗Ge且具有环状结构的二价前体。第一前体可以是具...

16、用锗前体形成相变层的方法及用其制造相变存储器的方法

[简介]：一种形成半导体器件的方法包括：在真空处理工具中提供衬底，该衬底具有在衬底上的应变含Ge层和在应变含Ge层上的含Si层；将衬底维持在低于700℃的温度下；以及在UV辅助氧化工艺中将含Si层暴露于氧化基，以在最小化下层的应变...

17、用于具有应变含锗层的器件的UV辅助电介质形成

[简介]：提供一种锗Ge化合物。该Ge化合物具有化学式GeR1xR2y。“R1”是烷基，而“R2”是氢、氨基、烯丙基和乙烯基中的一种。“x”大于0并且小于4，并且“x”和“y”之和等于4。还提供形成Ge化合物的方法、使用该Ge化合物制备相变存储器器件的方...

18、锗化合物、使用它制备的半导体器件及形成它们的方法

[简介]：薄半导体箔可以利用光反应沉积形成。这些箔可以具有小于100微米的平均厚度。在一些实施例中，半导体箔可以具有大的表面面积，诸如大于约900平方厘米的表面面积。该箔可以是独立的或者可释放地支承在一个表面上。半导体箔可以...

19、薄硅或者锗片以及由薄片形成的光电池

[简介]：本套资料主要内容为p型场效应晶体管pFET结构和形成pFET的方法。pFET包括在源极漏极区域中嵌入的硅锗以增加p沟道上的纵向应力，并且从而增强晶体管的性能。通过增加源极漏极区域的深度并且从而增加嵌入硅锗的体积，实现应力的...

20、利用双掩埋氧化物绝缘体上硅晶片的嵌入硅锗及其形成方法

[简介]：形成埋入式硅锗源漏结构的集成工艺方法，采用以多晶硅掩模和多晶硅间隔层作为掩模进行硅凹陷刻蚀和硅锗外延生长，在完成源漏区的硅锗外延生长后，同时去除多晶硅硬掩模和多晶硅间隔层，然后进行轻掺杂漏LDD，形成ONO侧墙...

21、多晶-硅-锗栅极叠层及其形成方法

22、多晶-硅-锗栅极叠层及其形成方法

23、在具有硅锗缓冲层的绝缘体上形成应变SiSiGe的方法

24、通过氧化掩埋多孔硅层形成绝缘体上硅锗结构

25、形成绝缘体上硅锗衬底材料的方法、衬底材料及异质结构

26、形成多晶硅锗层的方法

27、具有镍锗硅化物栅极的MOSFET及其形成方法

28、用低能量等离子体增强化学气相沉积法形成高迁移率硅锗结构

29、半导体衬底、场效应晶体管、锗化硅层形成方法及其制造方法

30、含硅锗层的互补金属氧化物半导体器件和基片及形成方法

31、形成异质结双极晶体管的硅－锗基区的方法

32、锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法

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